韩吉胜
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[1]一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法

[2]一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法

[3]一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法

[4]具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件及其制备方法

[5]基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管及其制备方法

[6]基于GaN HEMT结终端的SiC肖特基二极管

[7]一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法

[8]基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件

[9]一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法

[10]集成SBD的SiC衬底上增强型GaN HEMT器件

[11]一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法

[12]一种确定氮化镓器件沟道载流子温度的方法

[13]一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法

[14]一种半导体器件及其制造方法

[15]一种改善短路能力的SiCMOSFET器件

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